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Wechselwirkungsprozesse zwischen Liniendefekten und Fremdatomen (Dotierungs- bzw. Verunreinigungselemente) werden in den Verbindungshalbleitern GaAs und InP aufgeklärt. Die Kinetik der Defektbildung im Zuge der Eindiffusion von Schwefel oder Eisen und anschließender Wafertemperung soll auf mikroskopischem Niveau studiert werden, um daraus geeignete Prozeßschritte für die Herstellung homogener Substrate ableiten zu können. In den geplanten Experimenten wird die Fragestellung untersucht, welche Rolle intrinsische Defekte (Leerstellen), Zwischengitteratome und Antisites) bei der Kompensation sowie bei der Ausbildung einer ausgedehnten "Defektzone" um Versetzungen nach gezielter thermischer Behandlung im Vakuum oder unter spezifischer Dampfatmosphäre spielen. Die gebildete Defektzone kann wiederum über den mikroskopischen Diffusionsmechanismus der Fremdatome Aufschluss geben.