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Das epitaktische Wachstum von Silicium-Nanodrähten wird unter Reinstbedingungen mittels Molekularstrahlepitaxie untersucht. Ziel ist das Verständnis des zugrundeliegenden Mechanismus. Der Einfluss verschiedener Parameter wie Substratorientierung, -temperatur, Partikelgröße etc. auf die Bildung der Drähte und deren Defektstruktur wird studiert. Erste Versuche zur Bildung von SiGe-Nanodrähten werden unternommen.