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Das vorgeschlagene Projekt hat die Erforschung des breitbandigen Thiospinell-Halbleiters In2S3 mit
elektronischem Zwischenband für optische Multispektralanregung von Ladungsträgern und daraus abgeleiteter photovoltaischer Bauelemente zum Ziel. Durch Dotierung von In2S3 mit Übergangsmetallatomen M (M=Ti, V, Nb) soll gezeigt werden, dass mittels Defektbandabsorption ein signifikanter Anteil an Photonen mit Energien unterhalb der Bandlücke von In2S3 zur Generation von freien Ladungsträgern beitragen kann. Weiterhin soll gezeigt werden, dass das Defektband gemäß der Theorie delokalisierter Elektronenzustände nicht zu erhöhter Rekombination der Ladungsträger im erhaltenen In2S3:M führt. Durch Kombination mit transparenten Kontaktschichten soll im In2S3:M Halbleiter ein geeigneter Potentialverlauf induziert und eine effiziente Ladungstrennung bewirkt werden.