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as Ziel des Gesamtvorhabens Halbleiterbasismaterialien der flexiblen Elektronik ist die Flexibilisierung von einkristallinen Siliziumsubstraten durch Dünnen auf <50µm bzw. bis in den Nanometerbereich mit unterschiedlichen Verfahren. Im Rahmen des Teilprojektes Entwicklung bruchmechanischer Bewertungsverfahren für flexible silizium-basierter Mikro- und Nanostrukturen soll ein neues Konzept für eine konsequente werkstoffmechanisch begründete Modellierung des Festigkeitsverhaltens dünner bzw. ultradünner Halb-leiterkomponenten entwickelt werden. Dieses Konzept stellt die Basis dafür dar, dass die Festigkeitseigenschaften von dünnen Si-Komponenten als Funktion von Layout, geometrischer Strukturierung und Dicke sowie des technologisch bedingten Oberflächenzustandes auf wissenschaftlicher Basis beherrscht werden können. Damit soll eine Möglichkeit geschaffen werden, die Belastbarkeit von dünnen Halbleiterkompo-nenten theoretisch vorherzusagen, Ursachen von Ausfällen und Ausbeuteproblemen während der Fertigung auf gesicherter Grundlage zu analysieren, die Bearbeitungs-qualität zuverlässig zu bewerten und Strategien und Maßnahmen für die Prozess-schrittoptimierung ableiten zu können.