« Forschungslandschaft: Projekte
Wachstum von Gruppe III-Nitrid Bauelementen auf Silizium Substraten
Projektleiter:
Finanzierung:
Im Rahmen dieses Projekts werden GaN-basierte Lichtemitter- und mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOCVD) auf Silizium Substraten hergestellt. Dabei soll vor allen Dingen das Wachstum auf Si(100) und neuartoge Materialien für den grünen Wellenlängenbereich untersucht werden.
Anmerkungen
Schlagworte:
FET, Halbleiter, LED, Leuchtdiode, MOCVD, MOVPE, Transistor
FET, Halbleiter, LED, Leuchtdiode, MOCVD, MOVPE, Transistor
Kontakt
apl. Prof. Dr. Armin Dadgar
Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg
Fakultät für Naturwissenschaften
Institut für Physik
Universitätsplatz 2
39106
Magdeburg
Tel.:+49 391 6751384
Fax:+49 391 6711130
weitere Projekte
Die Daten werden geladen ...