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Thermal Assessment of AlInN/GaN High Electron Mobility Transistors
Projektleiter:
Finanzierung:
Ein besonders vielversprechender neuartiger Transistortyp (AlInN HEMT) erlaubt z.B. höhere Stromdichten als herkömmliche Strukturen. Die Betriebssicherheit dieses Transistortyps ist bislang nicht ausreichend untersucht und soll mittels Vergleichen von Transistor-Kennlinien zu bildgebenden thermischen Verfahren analysiert werden. Insbesondere wird Raman-Spektroskopie zum Einsatz kommen.
Kooperationen im Projekt
Anmerkungen
Schlagworte:
Gruppe III-Nitride, Transistoren mit hoher Beweglichkeit
Gruppe III-Nitride, Transistoren mit hoher Beweglichkeit
Kontakt
Prof. Dr. Martin Feneberg
Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg
Fakultät für Naturwissenschaften
Institut für Physik
Universitätsplatz 2
39106
Magdeburg
Tel.:+49 391 6758902
Fax:+49 391 6718108
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