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Für Anwendungen in der Mikroelektronik, und hier insbesondere zur Herstellung von dreidimensionalen Bodenelektroden für Metall/Isolator/Metall-Speicherkondensatoren (MIM-Kondensatoren), wie z.B. für ferroelektrische Speicherkondensatoren, soll ein CVD-basierter Prozess bei Niederdruck zum örtlich definierten Aufwachsen von Ruthenium-Nanostäben auf Siliziumsubstraten von 150 mm Durchmesser erforscht werden. Hierzu sollen die Ursachen ermittelt werden, die zu einem lokal definierbaren Wachstum von Nanostäben aus Ruthenium führen. Das Wachstum der Ruthenium-Nanostäbe selbst soll über einen metallorganischen Ruthenium-Precursor in einem Gasphasenabscheidungsprozess erfolgen. Die Abscheide- bzw. Wachstumsparameter sollen bestimmt und die erhaltenen Nanostäbe aus Ruthenium im Detail charakterisiert werden. Darüber hinaus sollen die erzeugten Elektroden als Bodenelektroden im Verbund mit ferroelektrischen Strontium-Bismut-Tantalat Schichten im Hinblick auf dreidimensional aufgebaute ferroelektrische Speicher getestet werden.