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Realisierung von Photonic-Bandgap Strukturen auf GaN-basierten LED-Schichten auf Silizium
Projektleiter:
Finanzierung:
Fördergeber - Sonstige;
Eine Verbesserung der Lichtauskopplung von GaN basierten LED Strukturen soll mittels Nanostrukturierter Oberflächen erzielt werden. Dazu werden MOCVD gewachsene Schichten mit nanometergroßen Polystyrolkugeln beschichtent und anschließend geätzt.
Anmerkungen
Schlagworte:
LED GaN
LED GaN
Kontakt
apl. Prof. Dr. Armin Dadgar
Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg
Fakultät für Naturwissenschaften
Institut für Physik
Universitätsplatz 2
39106
Magdeburg
Tel.:+49 391 6751384
Fax:+49 391 6711130
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