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HVPE GaN Templates mit unterschiedlicher Vorspannung
Projektleiter:
Finanzierung:
Industrie;
Wachstum spannungsangepasster GaN Templates für die HVPE dicker Schichten mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie. Dazu werden Saphir Substrate mit GaN bewachsen und die Verspannung reproduzierbar auf die optimalen Werte eingestellt.
Kooperationen im Projekt
Anmerkungen
Schlagworte:
Bulk GaN
Bulk GaN
Kontakt
apl. Prof. Dr. Armin Dadgar
Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg
Fakultät für Naturwissenschaften
Institut für Physik
Universitätsplatz 2
39106
Magdeburg
Tel.:+49 391 6751384
Fax:+49 391 6711130
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