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Entwicklung Epitaxierezept für GaN-auf-Saphir mit definiertem Spannungszustand
Projektleiter:
Finanzierung:
Industrie;
Ein Epitaxierezept zum Wachstum einer definiert vorgespannten GaN auf Saphir Schicht mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie wird entwickelt. Der Wachstumsprozess wird im Detail mit den wesentlichen Parametern für einen Wachstumserfolg dokumentiert
Kooperationen im Projekt
Anmerkungen
Schlagworte:
GaN
GaN
Kontakt
apl. Prof. Dr. Armin Dadgar
Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg
Fakultät für Naturwissenschaften
Institut für Physik
Universitätsplatz 2
39106
Magdeburg
Tel.:+49 391 6751384
Fax:+49 391 6711130
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