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Mittels Atomlagenabscheidung (ALD) hergestellte dünne Schichten aus Antimonoxid, Boroxid und Phosphoroxid werden zur Vorbelegung und Dotierung beliebig dreidimensionaler Strukturen, insbesondere von Nanodrähten, in modernsten CMOS-Silizium- und Germaniumtechnologien mit Strukturgrößen unter 10 Nanometern verwendet. Im Rahmen des Projektes werden Atomlagenabscheidung, Aktivierung und Eintreiben der Dotierstoffe, sowie die erzielten Dotierprofile mit pn-Übergangstiefen im Bereich um 5 Nano­meter untersucht. Dafür stehen in einem Reinraumlabor sowohl vom Lehrstuhl entwickelte und gebaute ALD-Anlagen als auch eine kommerzielle ALD-Anlage des Herstellers Sentech Instruments GmbH mit einer ICP-Plasmaquelle für Experimente zur Verfügung.