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Erfinder der Otto-von-Guericke Universität Magdeburg haben für das oben genannte Problem eine Lösung gefunden. Diese Lösung besteht im Aufbringen einer Galliumnitridschicht mit einer dem Elektronenkanal entgegengesetzten löcherleitenden Schicht unter dem Gatekontakt. Dies wird typischerweise mit p-Typ Galliumnitrid realisiert, wobei die p-Leitfähigkeit dieser Schichten stark limitiert ist. Als Alternative wird hier eine p-leitende Schicht aus einem anderen Halbleitermaterial, wie z.B. aus der Gruppe der Chalkopyrite aufgebracht, die sehr hohe p-Leitfähigkeiten ermöglichen und daher auch dünner ausgelegt werden können.