MOVPE
G16
Universitätsplatz 2
39106 Magdeburg
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« Infrastruktur: Geräte
Gerätebeschreibung
AIXTRON 2004/4 rfs single wafer reactor for growth of group III-nitride semiconductorsIn-situ curvature measurement
Pyrometric surface temperature control
Projekte
-
High brightness GaN based laser diodes (HiBGaN)
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG);
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