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Messverfahren: Scanning Surface Potential Microscopy - SSPM Electrical Force Microscopy - EFM Magnetic Force Microscopy - MFM Scanning Capacitance Microscopy - SCM bei verschiedenen Temperaturen (300 K - ca. 400 K) mit optischer Anregung (300 nm - 3000 nm) Korrelation mit diversen Standardtechniken zur Analyse von Topographie- und Materialkontrast (Contact Mode, Tapping Mode, Lift Mode, Phase Imaging,…)
Forschungsgebiete: Elektrische Eigenschaften von Strukturdefekten in Wide-Gap-Halbleitermaterialien (Gruppe-III-Nitride, ZnO) Submikroskopische Charakterisierung von Halbleiterbauelementen (LED's, HEMT's, …) Weiterentwicklung der SPM-Verfahren zur ortsaufgelösten Defektspektroskopie